2024第三代半导体技术与应用论坛
2024年10月15日丨深圳国际会展中心（宝安新馆）1号馆现场论坛区B
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2024第三代半导体技术与应用论坛
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会议议程（以现场为准）
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2024第三代半导体技术与应用论坛
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论坛时间
2024年10月15日
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论坛地点
深圳国际会展中心（宝安新馆）,1号馆现场论坛区B
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主办单位
电源网
慕尼黑展览（上海）有限公司
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论坛背景
第三代半导体材料及其制作的各种器件的优越性能，其已成为全球半导体技术研究前沿和各国产业竞争的新焦点。本次峰会将以第三代半导体技术为主题开展，深入探讨碳化硅与氮化镓等新型功率器件在新能源汽车、光伏、机车牵引、智能电网、节能家电、通信射频等领域应用与市场前景。届时我们将联合众多一线企业专家和行业学者，针对目前工程师普遍关心的技术进行讲解，实现与高水平技术的零距离接触。
会议议程（以现场为准）
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时间
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主题
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10:00-10:30
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SiC MOSFET精准特性表征与可靠性测试挑战及解决方案
毛赛君，忱芯科技(上海)有限公司总经理
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10:30-11:00
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新型半导体静态与动态测试
徐颖，成都安诚迅飞电子科技有限公司，技术部经理
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11:00-11：30
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氮化镓功率器件制造与测试技术
黄火林，大连理工大学 教授、博导
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11:30-12:00
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SiC MOSFET动态特性测试的最后一道坎:测量点间寄生参数
高远，泰科天润应用测试中心，主任
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13:30-14:00
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氮化镓射频器件及微波无线供电技术
敖金平，江南大学教授，博士生导师
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14:00-14:30
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碳化硅器件驱动电路设计挑战及其优化设计方法
秦海鸿，南京航空航天大学，副教授
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14:30-15：30
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高效GaN电源及其电磁发射研究
杜佐兵，EMC及电源行业专家
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15：30-16：00
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SiC功率MOSFET和IGBT研究
张峰，厦门大学教授/博士生导师
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